特許

J-GLOBAL ID：200903081539545863

半導体装置及びその製造方法

発明者： 内山 朋幸
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306368
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132245
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 基板上に金属シリサイド層を有する半導体装置を熱処理した際に金属シリサイド層からのシリコンの吸い出しを防止して内部応力の発生を防止すると共に金属シリサイド層の上層に形成されるべきシリコン酸化膜の絶縁性を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 基板上の金属シリサイド層上にアモルファスシリコン層を設けることにより、熱処理時にシリコン酸化膜のシリコンが主にアモルファスシリコン層から吸い出されることから金属シリサイド層内に応力が発生する心配がない。また、アモルファスシリコン層が熱処理時の酸化保護層として機能し、金属シリサイド層中の金属が酸化する心配がないことからシリコン酸化膜に良好な絶縁性が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に金属シリサイド層を有する半導体装置であって、前記金属シリサイド層上に、アモルファスシリコン層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G