特許

J-GLOBAL ID：200903081546637412

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小丸 真喜雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111463
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326330
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 高出力の半導体装置において、良好な放熱特性を持つ半導体装置を高い歩留りで製造する。【構成】 内部を金属13a,あるいは他の低熱抵抗性物質により充填されたバイアホール13の上に、トランジスタセル15を、その製造時に使用した半導体基板1から独立して、島状に搭載した構造を有する。【効果】 放熱特性を改善する目的でトランジスタセル部の基板厚を30μm以下にしても、基板割れを生じない構造,及びプロセスを実現できる。

請求項（抜粋）：

高周波数帯で動作するトランジスタを有する半導体集積回路装置において、半導体基板と、該基板を貫通して設けられたバイアホールと、該バイアホール上に設けられた単数または複数のトランジスタセルとを備え、該単数または複数のトランジスタセルは、該基板主面側の、該バイアホール内を充填している低熱抵抗性の材料上に、周囲の半導体基板から独立して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/804 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/44 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095

FI (4件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 L ,  H01L 29/80 E