特許

J-GLOBAL ID：200903081550267891

薄膜磁気素子の製造方法

発明者： 木方 邦宏
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376341
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178920
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 スパッタ法により成膜した軟磁性膜を積層した多層膜の厚みが厚くなってもパターニングする際に精度良くパターニングでき、パターニング精度の低下に起因する渦電流損失や漏れ磁束の発生を改善できる薄膜磁気素子の製造方法を提供。【解決手段】 スパッタ法により成膜した軟磁性膜を積層した多層膜を有する製造方法において、基板10上にレジストパターン12を形成する工程、パターン12にポストベークを施してパターン12の角部に丸み12iを形成する工程、パターン12間の隙間および該隙間の両側の丸み12iを有する角部にリフトオフ用メッキ層13を形成する工程、パターン12を除去する工程、パターン12が除去された部分の基板10上にスパッタ法により軟磁性膜を成膜、積層して多層膜を形成する工程、メッキ層13を除去する工程を少なくとも備える。

請求項（抜粋）：

コイル層の上と下の少なくとも一方に絶縁層を介してスパッタ法により成膜した軟磁性膜を積層した多層膜が形成された薄膜磁気素子の製造方法であって、前記多層膜の製造工程が、基体上にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンにポストベークを施して該レジストパターンの角部に丸みを形成する工程と、レジストパターン間の隙間および該隙間の両側のレジストパターンの丸みを有する角部にリフトオフ用メッキ層を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、レジストパターンが除去された部分の基体上にスパッタ法により軟磁性膜を成膜、積層して多層膜を形成する工程と、前記リフトオフ用メッキ層を除去する工程を少なくとも備えることを特徴とする薄膜磁気素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01F 17/00 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18

FI (3件)：

H01F 17/00 D ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18

Fターム (16件)：

5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049BA11 ,  5E049CB02 ,  5E049CC08 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5E049LC01 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070BB01 ,  5E070CB04 ,  5E070CB13 ,  5E070EA01 ,  5E070FA07 ,  5E070FA09