特許
J-GLOBAL ID：200903081557595770
炭素薄膜成膜方法および成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-069986
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277800
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】プラズマCVD方式を用いた炭素薄膜の形成において、硬度、耐摩耗性に優れる膜質を確保し、且つ、生産性を上げるために高速に成膜する手段を得る。【解決手段】電極2と対向電極4との間に電力を供給しプラズマを発生させ、基材3にバイアス電圧により炭素薄膜を生成す際、冷却部19により基材3に生ずる発熱を抑え、炭素薄膜に最適な温度で成膜を行うものである。特に、高硬度な膜を生成するために高いバイアス電圧にて成膜を行う場合や、成膜速度を向上させるために基材の電力密度を上昇させる場合に、イオンの衝突エネルギーが上昇し発熱量が多くなるが、冷却手段を設けることで温度上昇を抑え、良好な炭素薄膜の特性を維持しながら、生産性よく成膜することを提供するものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電力供給手段に接続された第一の電極と、前記第一の電極に設置された基材と、前記第一の電極と対応する第二の電極と前記基材にバイアス電圧を印可する手法と、前記基材を冷却する手段と、これらを内部に設置した反応炉を有するプラズマCVD装置において、前記電力供給手段より電力を供給して、前記第一の電極と前記第二の電極との間にプラズマを発生させ、炭化水素ガスを分解させ、前記基板に炭素膜を形成すると同時に、前記冷却手段により前記基材に発生熱を冷却することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
C23C16/26
, C23C16/27
, C23C16/505
C23C16/26
, C23C16/27
, C23C16/505
4K030AA09
, 4K030BA27
, 4K030BA28
, 4K030BB13
, 4K030CA02
, 4K030DA02
, 4K030FA03
, 4K030HA04
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA26
, 4K030LA23
