CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256654
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするCMP研磨剤、及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー及び生分解性を有する添加剤と水を含む添加液からなるCMP研磨剤。生分解性を有する添加剤を含む添加液をpH10以上または、pH5以下で保存することを特徴とする。研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤及び水を含むCMP研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 , B24B 37/00 , H01L 21/304 622 , C01F 17/00

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D , B24B 37/00 H , H01L 21/304 622 D , C01F 17/00 A

Fターム (18件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB04 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 4G076AA02 , 4G076AB09 , 4G076AC04 , 4G076BA39 , 4G076BC08 , 4G076BD01 , 4G076BG06 , 4G076CA26 , 4G076CA28 , 4G076DA30

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