特許

J-GLOBAL ID：200903081562692717

面発光型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 植木 伸明
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063111
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261095
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 比較的簡単な工程で製造でき、レーザ光の偏波面を一定方向に制御でき、さらには低しきい値電流が得られる面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 半導体基板10の主面に形成された第1反射ミラー層12と、第1反射ミラー層12上に積層され、かつ、量子井戸16が形成された活性層30と、第1反射ミラー層12と共に共振器構造を構成する柱状の第2反射ミラー層24を備えたポスト部20と、第1反射ミラー層12と第2反射ミラー層24との間に、半導体基板10の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有する周縁高抵抗化層22を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に形成された第1反射ミラー層と、前記第1反射ミラー層上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層と、前記第1反射ミラー層と共に共振器構造を構成する柱状の第2反射ミラー層を備えたポスト部と、前記第1反射ミラー層と前記第2反射ミラー層との間に形成され、周縁部が高抵抗化された周縁高抵抗化層と、を備えた面発光型半導体レーザであって、該周縁高抵抗化層の少なくとも1つの膜は、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Fターム (9件)：

5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073DA27 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23