特許

J-GLOBAL ID：200903081563629768

光半導体装置

発明者： 下山 峰史
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264831
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置に関し、波長変換器に於ける変換光が出射される側の端面からはポンプ光或いはシグナル光が出射されない構造にして、ポンプ光やシグナル光と変換光とを分離する為の外部の付加構成を不要にしようとする。【解決手段】 発振光をポンプ光とし且つ外部からのシグナル光を入射して四光波混合に依る波長変換を行なう分布帰還型半導体レーザに於いて、変換光の出力側である第二の端面10B側にポンプ光或いはシグナル光との光結合率が大きい回折格子部分2Cを設け、変換光出射側からポンプ光やシグナル光が出力されることを抑止する。

請求項（抜粋）：

発振光をポンプ光とし且つ外部からのシグナル光を入射し四光波混合に依る波長変換を行なう分布帰還型半導体レーザに於いて、変換光の出力側にポンプ光或いはシグナル光との光結合率が大きい回折格子が設けられてなることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

G02F 1/365 ,  H01S 5/12

FI (2件)：

G02F 1/365 ,  H01S 5/12

Fターム (22件)：

2K002AA02 ,  2K002AB12 ,  2K002BA03 ,  2K002BA04 ,  2K002CA13 ,  2K002DA06 ,  2K002DA12 ,  2K002EA07 ,  2K002EA28 ,  2K002GA10 ,  2K002HA31 ,  5F073AA13 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA02