スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大場充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130354
公開番号（公開出願番号）：特開平6-340969
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】スパッタリング期間中に発生するパーティクルを低減できるスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【構成】本発明のターゲットは、実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比(窒素/チタン)が0.35以上0.55以下であり、TiN型相が主相であることを特徴とする。また、本発明の製造方法は実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比(窒素/チタン)が0.35以上0.55以下である焼結体を加熱処理し、TiN型相が主相である組織に変態させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比(窒素/チタン)が0.35以上0.55以下であり、TiN型相が主相であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット

IPC (2件)：

C23C 14/34 , C04B 35/58 101

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