特許
J-GLOBAL ID：200903081569297759
ガスバリア膜形成基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤本 昇
, 薬丸 誠一
, 中谷 寛昭
, 岩田 徳哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288543
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】ガスバリア膜が形成されたガスバリア膜形成基板であって、前記ガスバリア膜のガスバリア性が従来のものより優れているガスバリア膜形成基板を提供する。【解決手段】互いに異なる複数種類のシリコン化合物から選ばれた2種類以上のシリコン化合物から構成されるガスバリア膜40a,40bが形成されている有機エレクトロルミネセンス素子100a,100b、高分子材料200a,200b等のガスバリア膜形成基板。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
互いに異なる複数種類のシリコン化合物から選ばれた2種類以上のシリコン化合物から構成されるガスバリア膜が基板上に形成されていることを特徴とするガスバリア膜形成基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007BB00
, 3K007CA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007FA02
