特許

J-GLOBAL ID：200903081571358390

電界効果型超電導トランジスタとその製作方法

発明者： 鈴木 健 ,  松井 俊之 ,  木村 浩 ,  山口 太秀 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105144
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306973
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】従来の素子に用いられたごとき超電導超薄膜を用いなくとも、効果的に超電導電流の変調ができる素子ならびにその製作方法を得る。【構成】基板10の上に、常電導体2を挟んで超電導体1Aおよび超電導体1Bを配置して微小ジョセフソン接合を形成し、その上に絶縁体膜3からなるゲート絶縁層を形成したのち、金電極層を形成して各電極を取り付けて超電導FETを構成する。本構成においては、ゲート電極6にゲート電圧を引加しない場合には接合のキャリア濃度分布が(a)のごとくとなり超電導電流が流れるが、ゲート電圧を引加すると(b)のごときキャリア濃度分布となって超電導電流が阻止される。

請求項（抜粋）：

第1の超電導体と第2の超電導体の間に絶縁体、半導体または常電導体のうちのいずれか一つを介在させて形成される静電容量が略10-14 〔F〕以下の微小ジョセフソン接合と、微小ジョセフソン接合に面して形成される絶縁層と、第1の超電導体に形成されるソース電極と、第2の超電導体に形成されるドレイン電極と、前記絶縁層に形成されるゲート電極からなることを特徴とする電界効果型超電導トランジスタ。