特許

J-GLOBAL ID：200903081586810940

半導体集積回路装置

発明者： 伊藤 洋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-051807
公開番号（公開出願番号）：特開2006-236511
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】信頼性を低下させることなく、プログラム回路のパターン占有面積を縮小できる半導体集積回路装置を提供することを目的としている。【解決手段】半導体集積回路装置は、記憶素子、プログラム回路及び検知回路を備えている。記憶素子は、素子特性を電気的に不可逆変化させることによって情報を記憶する。プログラム回路は、記憶素子の素子特性を電気的に不可逆変化させてプログラムする。検知回路は、不可逆変化させた前記記憶素子の素子特性を、変化していない状態と区別して検知する。上記プログラム回路は、記憶素子に高電圧を与えて記憶素子の素子特性を不可逆変化させる高電圧発生部21と、高電圧発生部により素子特性を変化させた記憶素子22,23に電流を流して素子特性を安定化する電流供給部とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

素子特性を電気的に不可逆変化させることによって情報を記憶する記憶素子と、 前記記憶素子の素子特性を電気的に不可逆変化させてプログラムするプログラム回路と、 不可逆変化させた前記記憶素子の素子特性を、変化していない状態と区別して検知する検知回路とを具備し、 前記プログラム回路は、前記記憶素子に高電圧を与えて前記記憶素子の素子特性を不可逆変化させる高電圧発生部と、前記高電圧発生部により素子特性を変化させた前記記憶素子に電流を流して素子特性を安定化する電流供給部とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 17/14 ,  H01L 27/10 ,  G11C 17/18

FI (4件)：

G11C17/06 B ,  H01L27/10 431 ,  H01L27/10 481 ,  G11C17/00 306A

Fターム (10件)：

5B125BA16 ,  5B125CA06 ,  5B125CA13 ,  5B125DA01 ,  5B125EA01 ,  5B125EG04 ,  5B125EH02 ,  5F083CR14 ,  5F083GA09 ,  5F083LA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005561   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 高電圧発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008542   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭59-186200