特許
J-GLOBAL ID：200903081587777750
アルミニウム系パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096608
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299393
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 Al系材料層のドライエッチングにおける選択性を向上させる。【構成】 Al系多層膜7をCSCl2 (塩化チオカルボニル)ガスを用いてエッチングする。このとき、レジスト・マスク8の分解生成物に由来して形成される炭素系ポリマーCClx にはC-S結合が導入され、強い化学結合と静電吸着力が付与されてエッチング耐性が向上する。この炭素系ポリマーにCSCl2 から生成するS(イオウ)が加わり、強固な側壁保護膜9が形成される。したがって、異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト選択性や下地選択性が向上する他、パーティクル汚染やアフターコロージョンも抑制できる。S2 Cl2 ガスを添加してSの堆積を増強すれば、一層の高選択化、低汚染化、低ダメージ化、低コロージョン化が実現する。
請求項（抜粋）：
分子内にチオカルボニル基とハロゲン原子とを有するチオカルボニル化合物を含むエッチング・ガスを用いて基板上のアルミニウム系材料層をエッチングすることを特徴とするアルミニウム系パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
