特許

J-GLOBAL ID：200903081590944349

半導体ウエーハ洗浄装置

発明者： 野村 貢
出願人/特許権者： バブコック日立株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353936
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166783
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 炭酸流体の一部を回収して、洗浄が終わつた半導体ウエーハの取り出しと次に洗浄する汚染された半導体ウエーハの挿入の際に洗浄槽内に入つた空気を追い出す操作時に使用される低圧の炭酸ガスとして有効に再使用することにある。【構成】 減圧中の洗浄槽1内炭酸流体圧力が、洗浄中の圧力より低い所定の減圧圧力から減圧圧力よりさらに低い圧力の範囲内で任意に定めた圧力になつた時点で、洗浄用機器系統の外に設けたガス貯蔵容器に接続する配管系統中の切換弁を開いて、ガス貯蔵容器内の圧力が前記の任意に定めた圧力より低い貯蔵圧力になるまで炭酸流体をガス貯蔵容器に貯蔵し、貯蔵圧力より低い圧力に相当する洗浄槽1内の炭酸流体は大気放出して洗浄槽1内の圧力を大気圧にする。

請求項（抜粋）：

被洗浄物である半導体ウエーハの洗浄槽内挿入,洗浄槽蓋閉止,低圧炭酸ガスによる洗浄槽内の空気追い出し,臨界点圧力以上への昇圧洗浄,洗浄槽内圧の減圧・大気放出,洗浄槽蓋開放,洗浄済被洗浄物の取り出しおよび次の被洗浄物挿入と繰り返し多数の被洗浄物を洗浄する半導体ウエーハ洗浄装置において、減圧中の洗浄槽内炭酸流体圧力が、洗浄中の圧力より低い所定の減圧圧力から減圧圧力よりさらに低い圧力の範囲内で任意に定めた圧力になつた時点で、洗浄用機器系統の外に設けたガス貯蔵容器に接続する配管系統中の切換弁を開いて、ガス貯蔵容器内の圧力が前記の任意に定めた圧力より低い貯蔵圧力になるまで炭酸流体をガス貯蔵容器に貯蔵し、貯蔵圧力より低い圧力に相当する洗浄槽内の炭酸流体は大気放出して洗浄槽内の圧力を大気圧にすることを特徴とする半導体ウエーハ洗浄装置。