特許
J-GLOBAL ID：200903081593335289
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164380
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031737
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 基板全面にわたって、均一で安定した特性の高性能MOS型トランジスタ素子を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板1表面の酸化ケイ素膜102上に非晶質ケイ素膜103及び酸化ケイ素膜104を真空を破らずに続けて形成する。パターニングした酸化ケイ素膜104をマスクとして、該非晶質ケイ素膜103の一部分に、その結晶化を助長する触媒元素を選択的に導入する。加熱によって該触媒元素を選択的に導入した部分100aを結晶化させ、続く加熱処理により、該単結晶化した領域103aを基板表面に対して平行な方向に延ばして横方向結晶成長領域103bを形成し、この横方向結晶成長領域を活性領域103iとして利用するようにした。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に形成され、非晶質ケイ素膜を結晶化してなる活性領域と、該活性領域上に形成された絶縁性薄膜とを備え、該活性領域は、その近傍の結晶化領域から基板表面に対して平行な方向に結晶成長が進んで形成された横方向結晶成長領域の一部であり、前記結晶化領域は、非晶質ケイ素膜の加熱処理による結晶化を助長する触媒元素を導入した領域である半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
