特許
J-GLOBAL ID：200903081600588325
液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126557
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326961
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【構成】 本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法は、多結晶シリコン膜上に多結晶シリコンが一部露出するように不酸化膜を形成し、多結晶シリコン膜を酸化して酸化膜を形成した後、不酸化膜及び酸化膜を除去することにより薄膜の活性領域を備えた薄膜トランジスタを製造するものである。【効果】 本発明によれば、簡単な製造プロセスで表面にエッチングダメージ等のない活性領域を備えた薄膜トランジスタが形成でき、これにより優れた素子特性が確保てきる。
請求項（抜粋）：
液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法において、基板上に島状の多結晶シリコン膜を設置する工程と、前記多結晶シリコン膜上に前記多結晶シリコンが一部露出するように不酸化膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記不酸化膜及び前記酸化膜を除去する工程と、前記多結晶シリコンに不純物を添加してソース領域,ドレイン領域,活性領域を形成する工程とを具備したことを特徴とした液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
