特許
J-GLOBAL ID：200903081604814800
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097277
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】ボイドなしに溝内に絶縁膜を埋め込んで素子分離を行う。【構成】溝16の内面には、熱酸化膜17が形成される。熱酸化膜17上には、シリコン窒化膜18が形成され、シリコン窒化膜18上にはシリコン膜19が形成される。シリコン膜19は、アモルファスシリコン、多結晶シリコン及び単結晶シリコンのいずれから構成されていてもよい。シリコン膜19上に溝16を完全に埋め込むTEOS-オゾン膜20が形成される。酸化工程によりシリコン膜19をシリコン酸化膜19 ́に変換する。このとき、シリコン基板11の酸化は、シリコン窒化膜18により防止される。この後、エッチバックにより溝16内のみに絶縁膜を残す。
請求項（抜粋）：
半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝の内面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜上にシリコン膜を形成する工程と、TEOSを主原料とし、少なくとも酸化剤との混合雰囲気で成膜する絶縁膜を前記溝内に埋め込む工程と、酸化性雰囲気で前記シリコン膜をシリコン酸化膜に変換する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/76 D
