MOS型集積回路装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043723
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130250
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】集積回路装置のウェハに膜厚が互いに異なるゲート酸化膜をフォトプロセス時にフォトレジスト用の樹脂で汚染されることなく成膜する。【構成】ウェハ10の表面のゲート酸化膜23や24を成膜すべき全ての個所を窒化シリコン等の耐酸化性膜13で覆った状態でフィールド酸化膜14を付ける選択酸化を施した後にフォトエッチングを施して、耐酸化性膜13を厚いゲート酸化膜24を成膜すべき個所から除去し、従って薄いゲート酸化膜23の成膜個所に耐酸化性膜13を被覆した状態で熱酸化によって厚いゲート酸化膜24を成膜し、さらにウェハ10の表面から耐酸化性膜13をすべて除去した状態で熱酸化によって薄いゲート酸化膜23を成膜しかつ厚いゲート酸化膜24を積み増すことにより、ロジツク部21および高耐圧部22のトランジスタ41と42用に膜厚が互いに異なるゲート酸化膜23と24を成膜する。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に厚さの異なる二つのゲート酸化膜を有するMOS型集積回路装置の製造方法において、ゲート酸化膜を成膜すべきすべての個所を耐酸化性膜により覆った状態で熱酸化を施す選択酸化工程と、薄い方のゲート酸化膜を付けるべき個所に耐酸化性膜を残した状態で熱酸化により厚い方のゲート酸化膜を成膜する第一酸化工程と、耐酸化性膜を除去した状態で熱酸化により薄い方のゲート酸化膜を成膜する第二酸化工程とを含むことを特徴とするMOS型集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 102 A , H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-271659
特開昭56-091447
特開平4-103162

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