特許
J-GLOBAL ID:200903081610207583

電子写真用光受容部材の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-293388
公開番号(公開出願番号):特開平5-134441
出願日: 1991年11月08日
公開日(公表日): 1993年05月28日
要約:
【要約】【目的】 電気特性、画像特性、耐久性の優れた電子写真用光受容部材を形成する方法を提供する。【構成】 導電性支持体上に、シリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層及び表面層とを順次積層して電子写真用光受容部材を形成するに際して、光導電層が炭素及び水素原子を含有し、炭素原子含有量を支持体側で多く、表面層側で少なくなるように分布させ、かつ堆積膜形成速度を支持体側で速く、表面層側で遅くなるように変化させて形成する。また、表面層はシリコン、炭素、水素、ハロゲン、酸素及び窒素の各原子を同時に含有するよう形成される。
請求項(抜粋):
導電性支持体と、該導電性支持体上に順次積層されたシリコン原子を母体とする光導電層及び表面層からなる光受容層とを含む電子写真用光受容部材の形成方法において、前記光導電層が、全層にわたって炭素原子と水素原子とを少なくとも含有し、該炭素原子の含有量が層厚方向に不均一に分布し、かつ前記導電性支持体側で多く、前記表面層側で少なく分布している非単結晶材料で構成され、前記表面層が、シリコン原子を母体とするとともに、炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原子を同時に含有する非単結晶材料で構成され、前記光導電層の堆積膜形成速度を層厚方向に変化させ、前記導電性支持体側で速く、前記表面層側で遅くなるようにして前記光導電層を形成することを特徴とする電子写真用光受容部材の形成方法。
IPC (8件):
G03G 5/08 360 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 302 ,  G03G 5/08 303 ,  G03G 5/08 304 ,  G03G 5/08 305 ,  G03G 5/08 312 ,  G03G 5/08 313

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