特許
J-GLOBAL ID:200903081623519916
高周波モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 正行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-295699
公開番号(公開出願番号):特開2002-111331
出願日: 2000年09月28日
公開日(公表日): 2002年04月12日
要約:
【要約】【課題】性能を低下させずに安価にストリップラインの電気長を延ばした又は物理長を短くした高周波モジュールを提供する。【解決手段】誘電体基板2と、誘電体基板2の表面又は内部に形成された回路パターン6及びグランド導体4と、一端が回路パターンに、他端がグランド導体に各々接続されたストリップラインSL4とを備える高周波モジュールにおいて、前記ストリップラインの幅は、回路パターンとの接続部で最大となり、グランド導体4との接続部に至るまで連続的に又は段階的に減少することを特徴とする。
請求項(抜粋):
誘電体基板と、誘電体基板の表面又は内部に形成された所定回路パターン及びグランド導体と、一端が所定回路パターンに、他端がグランド導体に各々接続するように誘電体基板に形成されたストリップラインとを備える高周波モジュールにおいて、前記ストリップラインの導体幅は、回路パターンとの接続部で最大となり、前記グランド導体との接続部に至るまで連続的または段階的に減少することを特徴とする高周波モジュール。
IPC (3件):
H01P 7/08
, H01L 23/12 301
, H03B 5/18
FI (3件):
H01P 7/08
, H01L 23/12 301 L
, H03B 5/18 C
Fターム (29件):
5J006HB05
, 5J006HB17
, 5J006HB22
, 5J006JA31
, 5J006LA07
, 5J006LA22
, 5J006NA07
, 5J081AA03
, 5J081AA11
, 5J081BB01
, 5J081CC42
, 5J081DD03
, 5J081DD21
, 5J081EE09
, 5J081EE18
, 5J081FF17
, 5J081FF21
, 5J081FF23
, 5J081GG05
, 5J081JJ14
, 5J081JJ15
, 5J081JJ29
, 5J081KK02
, 5J081KK09
, 5J081KK22
, 5J081MM01
, 5J081MM05
, 5J081MM07
, 5J081MM09
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