特許

J-GLOBAL ID：200903081631735750

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 藤掛 伸二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093191
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152592
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】p-i-n接合構造の光入射側のp層あるいはn層に光学ギャップの大きい材料を用いて光吸収ロスを少なくすると同時に電気伝導度を10-8S/cm以上としてフィルファクタの低下を抑える。【構成】SiH4 、CO2 をH2 で希釈した混合ガスを用い、ドーピングガスを添加してp層またはn層を形成し、その際光学ギャップを2.0〜2.2eV、σph/σd を5以下にすることにより、光学ギャップ2.0eV以上で電気伝導度の大きいa-SiO膜を得る。このようなa-SiO膜を得るためには、成膜時の水素希釈度を10〜50、基板温度を150 〜250 °Cにする。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコンを主材料としたp-i-n接合構造を有するものにおいて、i層の光入射側にあるp層あるいはn層が、一般式a-Si<SB>(1-x) </SB>O<SB></SB><SB>x </SB>で表わされ、0.10<x<0.40である非晶質シリコンオキサイドからなり、かつその光学ギャップが2.0 eVないし2.2 eV、25°Cにおける光導電率と暗導電率の比が5以下であることを特徴とする薄膜太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特表平2-501713
  
• 特開昭56-142680
  
• 特開昭59-115575
  
• 特開平2-218175
  
• 特開昭61-242085