特許

J-GLOBAL ID：200903081631882205

高感度半導体受光素子

発明者： 水島 宜彦 ,  中嶋 和利
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231106
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 信号対雑音比を改善し、微弱光さらにはフォトンのカウンティングが可能な高感度半導体受光装置を提供する。【構成】 半絶縁性ないし高比抵抗の半導体基板1の表面上に一対のオーム性接触電極2を設けた構造の本発明による高感度半導体受光素子の実施例を示したものである。本発明に用いられる高比抵抗半導体材料には、半絶縁性GaAsやInP、高抵抗CdS焼結体、またはアモルファスシリコン等の、抵抗率の高い材料が選ばれる。両電極は半導体基板に対してオーム性接触を形成するAuGe/Ni/Au等の金属薄膜を真空蒸着し、一定の電極間隔を設けて作製される。この際、接触抵抗を減らすために、金属薄膜直下にイオン注入等の方法で不純物をドーピングすることによって、この部分をn型化してもよい。陽極側の電極については、Al、Au、Pt、Ti/Pt/Au、WSix 等からなるショットキ接合電極で形成し得る。

請求項（抜粋）：

半絶縁性ないし高比抵抗半導体基板表面上に非pn接合の一対の電極を設けた横型の2端子構造を有し、光入射前の電流電圧特性が非線形的スーパーリニアになるようになされてあり、そのスーパーリニアの電圧範囲内にバイアス点が設定され、その電圧は30ボルト以下であるように設定された高感度半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/0248 ,  H01L 31/0264

FI (2件)：

H01L 31/08 H ,  H01L 31/08 L