特許

J-GLOBAL ID：200903081635237290

セレン、テルルを含む還元滓の浸出方法

発明者： 日合 弘 ,  河野 雄仁
出願人/特許権者： 日鉱金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365907
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126800
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】セレン、テルルを含む還元滓中に含まれるロジウム、ルテニウムを濃縮する方法の開発。【解決手段】Se,Te,Ru,Rhを含む還元滓を50〜150g/Lのスラリー濃度と成るように、濃度100〜150g/Lの水酸化ナトリウム水溶液に入れ、過酸化水素を一定量添加し続け浸出処理を行い、銀-塩化銀電極基準の酸化還元電位が、-330〜-415mVに成った時点で、過酸化水素の添加を中止し、反応を終了することによりSe,Teを溶解し、Ru,Rhを残渣に残すことを特徴とするセレン、テルルを含む還元滓の浸出方法。

請求項（抜粋）：

Se、Te、Ru、Rhを含む還元滓を50〜150g/Lのスラリー濃度と成るように、濃度100〜150g/Lの水酸化ナトリウム水溶液に入れ、過酸化水素を一定量添加し続け浸出処理を行い、銀-塩化銀電極基準の酸化還元電位が、-330〜-415mVに成った時点で、過酸化水素の添加を中止し、反応を終了することによりSe、Teを溶解し、Ru、Rhを残渣に残すことを特徴とするセレン、テルルを含む還元滓の浸出方法。

IPC (4件)：

C22B11/00 ,  C22B3/04 ,  C22B7/00 ,  C22B61/00

FI (4件)：

C22B11/04 ,  C22B7/00 H ,  C22B61/00 ,  C22B3/00 A

Fターム (6件)：

4K001AA22 ,  4K001AA26 ,  4K001AA41 ,  4K001BA17 ,  4K001CA05 ,  4K001DB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 銅電解殿物の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-212633   出願人：日鉱金属株式会社