特許
J-GLOBAL ID：200903081638933298
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021471
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】格子歪を用いた電界効果トランジスタの電流チャネル層を、十分なシートキャリア濃度が得られる厚さにする。【構成】二次元電子ガスが形成されるポテンシャル井戸のInY Ga1-Y As電流チャネル層のIn組成比Yをバッファ層2に向って連続的に減少させることによって、電流チャネル層3のAl組成比Xを大きく、しかも転位を発生しない範囲で厚くすることができる。こうして二次元電子ガス4をチャネル3内に十分に閉じ込めることにより、相互コンダクタンスgm が向上し、雑音指数の極めて低い電界効果トランジスタを実現することができた。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上に、電子親和力が大きく高抵抗の半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層よりも電子親和力が大きくエネルギーバンドギャップが小さい半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層よりも電子親和力が小さくエネルギーバンドギャップが大きい高濃度ドープ半導体からなる電子供給層とが順次積層され、前記チャネル層がInY Ga1-YAsからなり、前記チャネル層のIn組成比が前記バッファ層に向って滑らかに減少している電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
