特許
J-GLOBAL ID：200903081640235565
半導体中の不純物準位を利用した光メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334311
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192475
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 GaAs中に存在するEL2と呼ばれる双安定な深い不純物準位間遷移を利用した光メモリを提供する。【構成】 電子がEL2からEL2* へ遷移する波長の光(書き込み光)と電子が逆の遷移をする消去光をこの順にGaAsに照射する。するとEL2とEL2* の分布の比がある一定の割合として初期化する。書き込み光を照射して書き込みする。電子をEL2から伝導帯に遷移する波長の光(読み出し光)を照射して吸収か透過で検知する。その後消去光を照射して消去をする。本メモリの動作は140k以下の低温で行う。
請求項（抜粋）：
GaAs中に含まれるEL2と呼ばれる双安定な深い不純物準位間遷移を利用した半導体メモリであって、電子がEL2からEL2* へ遷移する波長の書き込み光を照射してEL2にある電子の少なくとも一部をEL2* に遷移させて書き込みを行う手段と、電子がEL2* からEL2へ遷移する波長の消去光を照射して元の状態に戻す消去手段と、電子をEL2から伝導帯に遷移する波長の読み出し光を照射してこの遷移による光の吸収あるいは透過を検知することによって読み出しを行う手段、を有する光メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/42
, H01L 27/10 451
