特許

J-GLOBAL ID：200903081640331777

保護回路付き半導体レーザ装置

発明者： 井上 泰明 ,  土屋 博 ,  西田 豊三 ,  吉年 慶一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254742
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 高い電源電圧を必要とせず、光出力の上限値設定等の調整が簡単に行え、環境温度の変化による過電流に対しても半導体レーザダイオードの破壊を回避できる保護回路付き半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 電流供給路1に接続された半導体レーザダイオード2と、半導体レーザダイオード2からの出射光により作動して前記電流供給路1から電流を引き出すフォトダイオード11と、このフォトダイオード11に直列に接続されて上記引き出された電流から電圧を取り出す抵抗3と、前記の電流供給路1から分岐されたバイパス路4中に設けられ、前記抵抗3の両端電圧値に基づいて電流供給路1からの電流を前記バイパス路4に流して半導体レーザダイオード2に流れる電流を制御するトランジスター5とを備えている。

請求項（抜粋）：

電流供給路に接続された半導体レーザダイオードと、半導体レーザダイオードからの後方光により作動して前記電流供給路から電流を引き出すフォトダイオードと、このフォトダイオードに直列に接続されて上記引き出された電流から電圧を取り出す抵抗と、前記の電流供給路から分岐されたバイパス路中に設けられ、前記抵抗の両端電圧値に基づいて電流供給路からの電流を前記バイパス路に流して半導体レーザダイオードに流れる電流を制御する制御素子とを備えていることを特徴とする保護回路付き半導体レーザ装置。