特許
J-GLOBAL ID：200903081642517720
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267776
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 光出射端面における酸化物に起因する表面準位を抑制することができ、高出力状態においても端面破壊が生じにくいようにする。【構成】 半導体レーザ装置の光出射端面上にInP又はInGaPを含む材料からなる層51が形成されている。この層51は格子定数がAlGaAs活性層13よりも大きいので、圧縮応力を受けて、層51のバンドギャップが著しく大きくなる。この層51の表面にもわずかに表面準位が形成されるものの、その表面準位に捕捉されたキャリアは、AlGaAs活性層13の伝導帯あるいは価電子帯へトンネリング効果で再注入され発光に使われるので、表面での発熱にはつながらない。つまり、この層51は一種の窓層として作用する。したがって、AlGaAs系の半導体レーザ装置に於て端面破壊が起こりにくくなる。
請求項（抜粋）：
複数層を積層してなるレーザ素子の1つの層がAlGaAs活性層からなる半導体レーザ装置において、該レーザ素子の光出射端面にInP又はInGaPを含む材料からなる層が形成されている半導体レーザ装置。
引用特許：
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