特許

J-GLOBAL ID：200903081644780185

半導体装置及び該製造方法

発明者： 石川 敦夫 ,  竹中 淳 ,  近藤 正隆 ,  山岸 英雄
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116762
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307127
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池の裏面封止工程をより簡略化し、しかも信頼性の観点からは従来のEVAシートとフッ素系樹脂シートを用いて封止した太陽電池と同程度の信頼性を有する太陽電池モジュールを作製することにある。【解決手段】 透明基板10上に形成された光起電力装置(20)が封止樹脂層26により封止された半導体装置(24)において、該封止樹脂層26を、主鎖骨格がポリイソプレンである樹脂を主成分とする樹脂配合物により形成した。

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された光起電力装置が封止樹脂層により封止された半導体装置において、該封止樹脂層は、主鎖骨格がポリイソプレンである樹脂を主成分とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  C09J147/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 31/04 F ,  C09J147/00 ,  H01L 21/56 J ,  H01L 23/30 R