特許
J-GLOBAL ID：200903081644928123

MIS型FET及び半導体装置の製造方法

発明者：
竹内 潔

竹内 潔 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164247
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345442
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗で、微細化に適し、製造が容易で、ゲート長が概ね0.2μm以下の微細な形式やSOI構造のものに好適なMIS型FET、及び、このようなMIS型FET等の半導体装置を製造する製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、基板50上に、ゲート電極10と、ゲート電極10に絶縁膜20を介して夫々隣接するソース拡散層30及びドレイン拡散層30とを備えている。この半導体装置は、ゲート電極10の側面に形成され、ソース拡散層30及びドレイン拡散層30の各一部を覆うゲート側壁絶縁膜60と、ソース拡散層30及びドレイン拡散層30のうちのゲート側壁絶縁膜60下を除く領域の少なくとも一部に接触し、該接触位置からソース拡散層30及びドレイン拡散層30に隣接する素子分離絶縁膜40上に夫々延在する第1及び第2の導電体層70Aとを備える。
請求項（抜粋）：
基板上に、ゲート電極と、該ゲート電極に絶縁膜を介して夫々隣接するソース拡散層及びドレイン拡散層とを備えたMIS型FETにおいて、前記ゲート電極の側面に形成され、前記ソース拡散層及び前記ドレイン拡散層の各一部を覆うゲート側壁絶縁膜と、前記ソース拡散層及び前記ドレイン拡散層のうちの前記ゲート側壁絶縁膜下を除く領域の少なくとも一部に接触し、該接触位置から前記ソース拡散層及び前記ドレイン拡散層に隣接する絶縁体上に夫々延在する第1及び第2の導電体層とを備えることを特徴とするMIS型FET。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/786
FI (13件)：
H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 C ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 L
Fターム (100件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104EE09 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF09 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F040DA06 ,  5F040DA10 ,  5F040DA12 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC11 ,  5F040EC12 ,  5F040EC13 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040EH03 ,  5F040EH08 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FC11 ,  5F040FC21 ,  5F110AA02 ,  5F110AA03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK39 ,  5F110HL14 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平4-071236
  • 特開平4-084439
  • 特開平4-188632
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