特許
J-GLOBAL ID:200903081657987927
発光装置及びその形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-386209
公開番号(公開出願番号):特開2002-050800
出願日: 2000年12月20日
公開日(公表日): 2002年02月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体発光素子とそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質とを利用した長波長変換型発光装置であって、必要最小限の蛍光物質含有量により長波長側の発光輝度を飛躍的に向上させることができる発光装置及びその形成方法を提供する。【解決手段】 支持体に配置された発光素子と、該発光素子からの発光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、前記蛍光物質を少なくとも一部に含有して前記発光素子を包囲する樹脂とを有する発光装置であって、前記樹脂の体積を前記発光素子の体積の50倍〜106倍とする。
請求項(抜粋):
支持体上に配置された発光素子と、該発光素子からの発光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、前記蛍光物質を少なくとも含有して前記発光素子を包囲する樹脂とを有する発光装置であって、前記樹脂の体積は前記発光素子の体積の50倍〜106倍であることを特徴とする発光装置。
IPC (4件):
H01L 33/00
, C09K 11/08
, C09K 11/64 CQE
, C09K 11/80 CPP
FI (4件):
H01L 33/00 N
, C09K 11/08 H
, C09K 11/64 CQE
, C09K 11/80 CPP
Fターム (20件):
4H001CC15
, 4H001XA08
, 4H001XA13
, 4H001XA14
, 4H001XA20
, 4H001XA31
, 4H001XA39
, 4H001XA64
, 4H001YA24
, 4H001YA58
, 4H001YA63
, 5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041AA14
, 5F041AA31
, 5F041DA06
, 5F041DA19
, 5F041DA43
, 5F041DA55
, 5F041FF16
引用特許:
引用文献:
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