特許

J-GLOBAL ID：200903081661655424

化学増幅型新規低分子系レジスト材料を用いるパターン形成

発明者： 城田 靖彦
出願人/特許権者： 城田 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-305270
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】従来の高分子系レジスト材料を用いるリソグラフィでは微細化に限界がある。微細化を進めてゆくためには、レジスト材料の分子サイズを小さくすることが一つの方法論であり、その極限が低分子系レジストである。しかし、低分子系有機化合物は一般に結晶性が高く、アモルファス薄膜を形成することが困難であるため、レジスト材料としての応用は難しい。また、低分子系レジスト材料の例は皆無ではないが、その感度は低く、実用化が難しい。【解決手段】本発明のレジスト材料は、下記構造式で表される、酸の存在下により解裂反応を連鎖的に起こす官能基を含む低分子化合物と、酸発生剤と、それらを溶解させる溶媒を含む化学増幅型低分子系レジストである。

請求項（抜粋）：

下記構造式で表される、酸存在下において開裂する官能基を含む低分子有機化合物と、酸発生剤と、それらを溶解させる溶媒を含むレジスト材料の開発、ならびに前記レジスト材料に電子線を照射することによる高感度・高解像度パターン形成。【化1】

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (10件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025CB41 ,  2H025CB52 ,  2H097CA16 ,  2H097FA03