特許

J-GLOBAL ID：200903081666459984

ポリシリコン抵抗体の形成方法

発明者： 獅子口 清一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230366
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086515
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 ポリシリコン抵抗体の抵抗均一性を改善することを目的とする。【構成】 LPCVD法を用い、シラン系ガスと同時にドーパントガスと亜酸化窒素ガスを供給して膜形成を行うことにより、結晶粒径が小さく、しかも後プロセスでの粒径の変化が小さく、小さいサイズのポリシリコン抵抗体の抵抗均一性を向上させる。

請求項（抜粋）：

シリコン膜堆積工程とアニール工程とを有し、シラン系ガスによる化学気相成長法を用い、ポリシリコン膜に不純物をドーピングしてポリシリコン抵抗体を形成するポリシリコン抵抗体の形成方法であって、シリコン膜堆積工程は、シラン系ガスと同時にドーパントガスと亜酸化窒素ガスを供給し、600°C以下の堆積温度で化学気相成長法によりドーパントガスと酸素を含有するシリコン膜を堆積する工程であり、アニール工程は、シリコン膜堆積工程で得られたドーパントと酸素を含有するシリコン膜を600°C以上の温度でアニールする工程であることを特徴とするポリシリコン抵抗体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 21/88 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-209759   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-143252