特許

J-GLOBAL ID：200903081668653575

現像液及びパターン形成方法

発明者： 田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-239558
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料のパターン形成方法を提供する。【構成】 化学増幅型ポジレジスト材料に用いられる現像液において、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含む現像液中に、ヘキサメチロールメラミン、フェニレンジアミン、キシリレングリコールから選ばれた1種以上の架橋剤が添加されてなる現像液。ポリヒドロキシスチレン誘導体を含む化学増幅型ポジレジストに用いるパターン形成方法において、露光後に熱処理する工程、アルカリ水溶液に架橋剤を添加した現像液で現像する工程、及び脱水ベークする工程を含むパターン形成方法。なお、現像後に遠紫外線照射してもよく、またアルカリ水溶液でのみ現像し、架橋剤含有液で処理してもよい。【効果】 エッチングにおけるパターン変形を抑制できる。

請求項（抜粋）：

化学増幅型ポジレジスト材料に用いられる現像液において、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含む現像液中に、ヘキサメチロールメラミン、フェニレンジアミン、キシリレングリコールから選ばれた1種以上の架橋剤が添加されてなることを特徴とする現像液。

IPC (6件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 569 A ,  H01L 21/30 571