特許
J-GLOBAL ID：200903081671592544
レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250395
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 位相シフトマスクを用いることなしに、マスク上の周期パターンの空間周波数より高い空間周波数を持つ微細レジストパターンを形成することのできるレジストパターン形成方法を提供すること。【構成】 レジストパターンの形成方法において、被露光基板11上にポジ型レジスト12を塗布した後、ポジ型レジスト12にライン&スペースパターンを露光し、次いでポジ型レジスト12を現像してレジスト12の露光部を除去し、次いでポジ型レジスト12からなるパターンのスペース部分にネガ型レジスト15を塗布し、次いでポジ型レジスト12とネガ型レジスト15の境界部分を含む領域を露光し、次いでレジスト12,15を現像して、ポジ型レジスト12の露光部及びネガ型レジスト15の未露光部を除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被露光基板上にポジ型又はネガ型の第1のレジストを形成する工程と、第1のレジストを所望パターンに露光する工程と、第1のレジストを現像して、第1のレジストの露光部又は未露光部を除去する工程と、第1のレジストからなるパターンの少なくともスペース部分に第1のレジストとは逆極性の第2のレジストを形成する工程と、第1のレジストと第2のレジストの境界部分を含む領域を露光する工程と、第1及び第2のレジストを現像して、第1のレジストの露光部及び第2のレジストの未露光部、又は第1のレジストの未露光部及び第2のレジストの露光部を除去する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 573
, H01L 21/30 502 C
