イオン注入装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196474
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013018
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】例えば半導体ウエハに対して効率のよいイオン注入を行うこと。【構成】イオン源31の出口側にイオン引き出し電極32を配置し、イオンビームの下流側に順次、質量分析器5、スリット部6、加速管7を配置し、ここから出るイオンビームの照射領域にウエハWを設定する。引き出し電極32よりも若干イオンビームの下流側位置に、イオンビームに臨むようにプラズマ発生装置4を配置する。従ってプラズマ発生装置4にて発生したプラズマ中の電子がイオンビームの正電荷に引き寄せられ、イオンビーム内には電子と正のイオンとが混在するため正のイオンの反発力が小さくなって、イオンビームの発散が抑えられる。

請求項（抜粋）：

イオン源から被処理体にイオンビームを照射して当該被処理体にイオンを注入する装置において、前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビームの電荷を中和するための電子供給手段を設けたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 D , H01L 21/265 N

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭63-126220
特開昭62-052843
特開平3-093141

審査官引用 (3件)

特開昭63-126220
特開昭62-052843
特開平3-093141

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