特許

J-GLOBAL ID：200903081683101414

高周波用基板及びその製造方法

発明者： 楫野 隆 ,  高谷 稔
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316322
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124415
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 高密度部品実装に適し、かつ低損失化を図ることのできる高周波用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 有機絶縁基板本体10上に第1導体層11を形成し、その上に層間絶縁層としての有機絶縁層12を積層形成し、その上に第2導体層13を形成し、第1導体層11と第2導体層13とは有機絶縁層12のビアホール14を介して相互に接続されるようにし、全体として基板両側縁の端子電極15同士を接続するヘリカルパターンのコイル導体20を構成する。このようにして、ヘリカルコイルを基板本体10上に形成し、換言すれば高周波用基板内に形成するようにする。

請求項（抜粋）：

比誘電率が5以下の有機基板本体の少なくとも片面に、膜厚が15μm以上でアスペクト比が0.3以上の導体パターンを有する導体層を形成したことを特徴とする高周波用基板。

IPC (6件)：

H01F 17/00 ,  H01F 27/00 ,  H01F 41/04 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/46

FI (11件)：

H01F 17/00 D ,  H01F 41/04 C ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/18 E ,  H05K 3/18 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 Q ,  H01F 15/00 D

Fターム (37件)：

5E062DD04 ,  5E070AA01 ,  5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070AB02 ,  5E070AB06 ,  5E070BA01 ,  5E070CB13 ,  5E070CB17 ,  5E070CB20 ,  5E343AA07 ,  5E343AA15 ,  5E343AA16 ,  5E343BB14 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343DD23 ,  5E343DD24 ,  5E343DD25 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343ER16 ,  5E343ER18 ,  5E343ER26 ,  5E343GG13 ,  5E346AA13 ,  5E346CC08 ,  5E346CC21 ,  5E346CC32 ,  5E346CC54 ,  5E346DD25 ,  5E346EE33 ,  5E346FF22 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346HH02 ,  5E346HH25