特許
J-GLOBAL ID：200903081690654950
集積回路装置用配線膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154981
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006867
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】集積回路装置の配線膜のコンタクトホール等の微小パターンの窓の部分における断線欠陥を減少させ、かつステップカバレージを向上する。【構成】珪素を含有するアルミからなる配線用金属をまず下側配線膜に成膜した後、 450〜500 °Cの加熱下で流動化処理を施して窓の底の隅に配線用金属を充填しかつその窓内の表面形状をなだらかにした上、これを下地面として配線用金属を上側配線膜として成膜する。
請求項（抜粋）：
珪素を含むアルミを配線用金属として集積回路装置の半導体の表面を覆う絶縁膜に開口された窓内で半導体に接続するように配線膜を成膜する方法であって、配線用金属を窓内で半導体に接続する下側配線膜として成膜する工程と、加熱下で下側配線膜の配線用金属を流動化させる工程と、下側配線膜の上に配線用金属を上側配線膜として成膜する工程とを含むことを特徴とする集積回路装置用配線膜の成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
