特許
J-GLOBAL ID：200903081690964479
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188872
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086239
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】高密度プラズマの生成に伴う被処理基体のダメージを防止し得るプラズマ処理装置を提供すること。【構成】表面処理を行なうための表面処理室1と、この表面処理室1に電磁波を与えるための、RF電源6と整合器7とアンテナ4とからなる電磁波供給手段と、表面処理室1に静磁場を与えるための電磁石5と、表面処理室1に設けられ、ヘリコン波を共振するための導体共振体11とで構成されている。
請求項（抜粋）：
被処理基体が収容され、プラズマ源ガスが導入される表面処理室と、この表面処理室内のプラズマ源ガスに電磁波を与える電磁波供給手段と、前記表面処理室内に静磁場を与える静磁場供給手段と、前記プラズマと前記電磁波と前記静磁場との相互作用により形成されるヘリコン波を増幅するヘリコン波増幅手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/203
