特許
J-GLOBAL ID：200903081693551086
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172901
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130611
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程において、位置合わせマークを繰り返し使用できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板上に電子ビーム露光用位置合せマークを形成する工程と、該電子ビーム露光用位置合せマークを含む領域に第一のレジスト膜を形成したのち前記半導体基板上に第二のレジスト膜を塗布する工程と、前記電子ビーム露光用位置合せマークを含む領域の前記第一、第二のレジスト膜に電子ビームを照射しマーク位置を検出したのち前記半導体基板上の前記第二のレジスト膜に所定のパターンにしたがって電子ビームを照射し現像処理を施して開孔を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に電子ビーム露光用位置合せマークを形成する工程と、該電子ビーム露光用位置合せマークを含む領域に第一のレジスト膜を形成したのち前記半導体基板上に第二のレジスト膜を塗布する工程と、前記電子ビーム露光用位置合せマークを合む領域の前記第一、第二のレジスト膜に電子ビームを照射しマーク位置を検出したのち前記半導体基板上の前記第二のレジスト膜に所定のパターンにしたがって電子ビームを照射し現像処理を施して開孔を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 541
, H01L 21/30 501
