不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-336196
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176957
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】フローティングゲート型をはじめとする不揮発性半導体記憶装置において、ゲート長を確保しながらメモリセルが微細化され、かつ、チャネル領域と接する酸化膜を介した電荷蓄積層からのリーク電流が抑制された、ブレークダウン耐圧の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10上の基板10’上層にソース領域16およびドレイン領域17が堆積され、ソース・ドレイン領域がチャネル領域より上部に形成されており、メモリセルの電荷蓄積層(フローティングゲート層12)側面のトンネル酸化膜18における電荷移動によりメモリセルの書き込みが行われる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の表面層に所定の間隔をあけて形成されたソース領域およびドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域間にチャネルが形成されるチャネル形成領域と、該チャネル形成領域上に形成された電荷蓄積層とを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記電荷蓄積層の側面と対向するように、前記ソース領域およびドレイン領域が形成されている不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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