特許

J-GLOBAL ID：200903081696651367

ガスクリーニング方法

発明者： 須田 敦彦
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308007
公開番号（公開出願番号）：特開平10-147877
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 ガスクリーニングにより生じたフッ化物を分解除去して、正規の電極表面の再生を行い、ガスクリーニング後の成膜速度の低下や膜厚分布の劣化を防止して、生産歩留まりを向上する。【解決手段】 CVD装置による積算膜厚が所定値になるたびに、NF3 、SF6 などのフッ化物系ガスをCVD装置内に導入し、クリーニングに必要なF原子をプラズマにより発生させて、CVD装置内に堆積したポリシリコンやアモルファスシリコン等の膜を除去するガスクリーニングを行う。この際、電極表面などのCVD装置内にフッ化物が生成される。そこで、ガスクリーニング途中で、アルゴンガスなどの不活性ガスを導入してプラズマを発生させて、フッ化物のクリーニングを行う。このクリーニングによりフッ化物は破砕され、電極表面の再生が行なわれる。

請求項（抜粋）：

クリーニングガスを導入しプラズマを発生させてプラズマCVD装置内に堆積した膜を除去するガスクリーニング方法において、ガスクリーニング中に生成される生成物を不活性ガスを導入しプラズマを発生させて除去するようにしたことを特徴とするガスクリーニング方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205