特許
J-GLOBAL ID：200903081697615607
絶縁膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069198
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 絶縁耐性に優れた絶縁膜を短い時間でかつ膜厚制御を精確に行なって形成する。【構成】 Si基板18を炉に入れ、これを酸素ガス中で約100°C/秒の昇温速度で加熱し、1000〜1200°Cの温度T1に保持してSi酸化膜60を成膜する。次に、この温度T1に保持して、N2 Oガスに切り換えてこのガス中でSi酸化膜形成済の基板に対して第1回目の酸窒化処理を行なってSi酸化膜をSi酸窒化膜62に変える。次に、この加熱温度を800〜950°Cの温度T2に下げて、第2回目の酸窒化処理を行なって先のSi酸窒化膜とは膜が変わらないが、窒素の取り込み量が多い、最終のSi酸窒化膜64を絶縁膜として得る。
請求項（抜粋）：
シリコンの下地上に酸化膜を形成した後、該酸化膜を酸窒化して酸窒化膜としての絶縁膜を形成するに当たり、酸窒化処理を、第1および第2酸窒化処理とに分け、該第1酸窒化処理を酸化膜の形成のときの下地の加熱温度と同一の第1温度で行い、および前記第2酸窒化処理を酸窒化膜の膜厚が増加しないとともに、形成途中の酸窒化膜への窒素元素の導入を維持する第2温度で行うことを特徴とする絶縁膜形成方法。
引用特許：
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