特許
J-GLOBAL ID：200903081697937523
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336549
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166920
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 結晶性および経済性良好な誘電体分離を提供する。【構成】 基板1上にポリイミド膜12と、その上に半導体を主材料とした素子形成層13とが形成された。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたポリイミド膜と、前記ポリイミド膜上に形成された素子形成層と、前記素子形成層内に形成されたバイポーラトランジスタとで構成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/76
, H01L 21/312
, H01L 21/331
, H01L 29/73
