特許
J-GLOBAL ID：200903081700801700
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-323203
公開番号（公開出願番号）：特開平9-160072
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 p-SiTFTの製造方法において、LDD部の形成方法を改善し、高スループット化と特性の安定化を図る。【解決手段】 LD領域(11L)の低濃度ドーピングには、制御性を重視して、質量分析を行うイオン打ち込み法を用い、ソース及びドレイン領域(11S、11D)の形成には、高スループットを重視して、質量分析を行わないイオンシャワー法を用いる。これにより、LD領域(11L)の抵抗のばらつきによる特性の不安定化を防ぐとともに、スループットの高いイオンシャワー法の採用により製造コストを削減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体層の所定領域に、所定の導電形を示す第1の不純物を低ドーズ量で注入することにより低濃度領域を形成する第1の工程と、前記低濃度領域の一部を除き、前記第1の不純物と同じ導電形を示す第2の不純物を高ドーズ量で注入することにより、前記低濃度領域の一部に接して高濃度領域を形成する第2の工程とを有する半導体素子の製造方法において、前記第1の工程は、第1の不純物元素を含んだ原料から放電及び高電界によりイオンを取り出し、これらのイオンから質量分析により第1の不純物のイオンを取り出し、この第1の不純物のイオンを前記半導体層へ注入する工程であり、前記第2の工程は、第2の不純物元素を含んだ原料から放電及び電界によりイオンを取り出し、これら全てのイオンを前記半導体層へ注入するする工程であることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 29/78 616 A
