特許
J-GLOBAL ID：200903081701258610
薄膜電界効果型トランジスタ基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243333
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ基板の接続端子部パターンを、製造工程に関わりなく同一とすることにより、マスクコストを削減する。【構成】 下層金属1上の絶縁膜5にコンタクトホール2を形成する。コンタクトホール2は下層金属1の上部の一部にのみ形成する。上層金属3はコンタクトホール2を完全に覆い、かつその面積は端子部上層接続面の透明金属4の面積の半分以下とする。上層金属3及び透明金属4の形成順序に関わりなく、端子部表面面積の半分以上が透明金属4となる。
請求項（抜粋）：
並列配置された複数の走査線と、並列配置された複数の信号線とが互いに交差して形成され、前記走査線と前記信号線との各交差部付近に薄膜電界効果型トランジスタが形成された薄膜電界効果型トランジスタ基板の周辺部での、少なくとも下層金属、絶縁膜、コンタクトホール、上層金属及び透明金属から構成される接続端子部において、前記コンタクトホールは前記下層金属上の一部の領域にのみ形成され、前記上層金属は前記コンタクトホールを完全に覆い、前記透明金属は少なくとも一部分が最上層として形成されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ基板。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
