特許
J-GLOBAL ID：200903081711746051
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333957
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は2次元電子ガス層をソース・ゲート間およびソース・ドレイン間の能動層上部に設け、外部環境の変化に対しシールド効果によりソース・ゲートおよびソース・ドレイン間の能動層表面が影響されないようにする目的のものである。【構成】 ソース電極7・ゲート電極8間およびゲート電極6・ドレイン電極8間の能動層2上に各電極とは電気的に接続されない、不純物ドープされたAlGaAs層4と低濃度GaAs層3との積層構造を取りGAAs層3のAlGaAs層4界面に2次元電子ガス層5ができるような構造の半導体装置。【効果】 2次元電子ガス層5は導電層であるので外部環境からイオンや分極による表面電荷の影響を完全にシールドすることができ、信頼度の高い半導体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
GaAsMESFETにおいて、ゲート電極とドレイン電極間のFET能動層上にGaAs層と不純物ドープしたAlGaAs層を設け、界面に2次元電子ガス層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 F
