特許

J-GLOBAL ID：200903081716509724

集積型薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 棚村 浩匡
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119048
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 基板が大面積の場合においても、パターン加工精度を高く保ち、かつ、レーザスクライブ法に比較して高い加工速度を得ることができる、集積型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 透光性絶縁基板上にアモルファスシリコン系半導体からなる太陽電池セルを複数個直列接続した集積型薄膜太陽電池の製造方法において、アモルファスシリコン系半導体上に、金属薄膜からなる電極を堆積形成するステップと、堆積された電極を機械的切削手段により機械的に分割し、パターニングするステップとを備える。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上にアモルファスシリコン系半導体からなる太陽電池セルを複数個直列接続した集積型薄膜太陽電池の製造方法において、前記アモルファスシリコン系半導体上に、金属薄膜からなる電極を堆積形成するステップと、前記堆積された電極を機械的切削手段により機械的に分割し、パターニングするステップとを備えることを特徴とする、集積型薄膜太陽電池の製造方法。

Fターム (9件)：

5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051EA02 ,  5F051EA11 ,  5F051EA13 ,  5F051EA16 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03