特許

J-GLOBAL ID：200903081723785028

多層配線を有する半導体装置

発明者： 川島 伊久衛
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207955
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051153
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜の平坦性が悪い場合でもプラグ用埋込みメタル層のエッチバックの際に残渣12aが発生しないようにしてコスト上昇を抑えるとともに、信頼性の高い配線を形成できるようにする。【構成】 下層配線4上から層間絶縁膜6を形成し、スルーホール8を形成した後、密着層10を形成し、その上に低融点金属材料層20としてAl-Si-Cu膜を形成する。成膜したAl-Si-Cu膜を真空中で600°C、1分間アニールを行ない、リフローさせて表面の平坦性を改善する。その後、スルーホールを埋め込むためのタングステン膜12を形成し、エッチバックを施してタングステン膜12をスルーホールのみに残す。このとき、層間絶縁膜6の平坦性の悪い部分は低融点金属材料層20のリフローによって平坦化されているため、タングステン12のエッチバック時に層間絶縁膜表面の凹部には残渣は残らない。その後、上層配線用メタル層を形成し、パターン化して上層配線を形成する。

請求項（抜粋）：

下層の電極又は配線上に絶縁膜を介して上層配線が形成され、下層の電極又は配線と上層配線との間が前記絶縁膜に形成されたコンタクトホール又はスルーホールに金属材料が埋め込まれたプラグを介して接続されている多層配線を有する半導体装置において、プラグとして埋め込まれた金属材料の下層には低融点金属材料層が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 R