特許
J-GLOBAL ID:200903081725219178
非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅 直人 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-235294
公開番号(公開出願番号):特開平6-059285
出願日: 1992年08月11日
公開日(公表日): 1994年03月04日
要約:
【要約】【目的】 MIM素子等の非線形素子を有する素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置に係り、配線抵抗を低減することを目的とする。【構成】 基板1上に第1の導電体11と非線形電気伝導体12および第2の導電体13とを順に積層してなり、それ等の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子S1・S2を信号入力用配線2と画素電極3との間に設けたものにおいて、上記信号入力用配線2に沿って高導電性金属層4を設けたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板上に第1の導電体と非線形電気伝導体および第2の導電体とを順に積層してなり、それ等の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を信号入力用配線と画素電極との間に設けた素子基板において、上記信号入力用配線に沿って高導電性金属層を設けたことを特徴とする非線形素子を備えた素子基板。
IPC (5件):
G02F 1/136 510
, G02F 1/1333
, G02F 1/137 101
, H01L 27/12
, H01L 49/02
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭64-065526
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特開平2-210331
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特開平2-140722
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特開平2-204726
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特開平3-046632
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