特許

J-GLOBAL ID：200903081725441016

液浸露光プロセス用レジスト組成物、該レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法

発明者： 吉田 正昭 ,  石塚 啓太 ,  平山 拓
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416700
公開番号（公開出願番号）：特開2005-173474
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 本発明は、液浸露光プロセスに用いて好適な液浸露光プロセス用レジスト組成物、および前記組成物を用いたレジストパターン形成方法、とくに液浸露光プロセスに用いる液体が水であるときに好適な液浸露光プロセス用レジスト組成物、および前記組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】 液浸露光プロセス用レジスト組成物に、少なくとも(a)無水ジカルボン酸から誘導される単位を含有し、前記(a)単位の含有率が、ベースポリマー全体の30モル%以下であることを特徴と共重合体樹脂を用いる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに用いられる液浸露光プロセス用レジスト組成物であって、 ベースポリマーが、少なくとも(a)無水ジカルボン酸から誘導される単位を含有し、前記(a)単位の含有率が、ベースポリマー全体の30モル%以下であることを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F7/033 ,  C08F220/18 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/033 ,  C08F220/18 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502R

Fターム (25件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA08 ,  2H025FA17 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08P ,  4J100AR00R ,  4J100BA20P ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38