特許

J-GLOBAL ID：200903081726069374

プラズマ処理装置

発明者： 武 石 浩 司 ,  宮 本 高 志 ,  津 上 芳 三
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242055
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349075
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 放電の安定化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 誘電体で形成された放電管6の内部にプロセスガスGを導入し、放電管6の内部のプロセスガスGにマイクロ波導波管10を介して導いたマイクロ波Mを照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。マイクロ波Mを放電管6の内部に導入するためのスリット12をマイクロ波導波管10のE面又はH面に備えている。スリット12は放電管6の管軸方向に対して平行になるように延設されており、マイクロ波導波管10の内部に誘電体が充填されている。

請求項（抜粋）：

誘電体で形成された放電管の内部にプロセスガスを導入し、前記放電管の内部の前記プロセスガスにマイクロ波導波管を介して導いたマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波を前記放電管の内部に導入するためのスリットを前記マイクロ波導波管のE面又はH面に備え、前記スリットは前記放電管の管軸方向に対して平行になるように延設されており、前記マイクロ波導波管の内部に誘電体が充填されていること特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/205

Fターム (17件)：

4K057DA20 ,  4K057DD05 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DM12 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26